脈沖電壓范圍 10V ~ 1000V，0.25V測量解析度

高速采樣測試，***快18ms

具有接觸檢查功能

自動電感測試檔位選擇功能

四端測量功能，施加到電感上的電壓更準(zhǔn)確

具有電感差異電壓補償功能

脈沖測試高取樣率(200MHz), 10 bits

崩潰電壓分析功能(BDV)

中英文操作界面

U盤存儲振蕩波形功能

設(shè)置條件自動保存，下次開機自動調(diào)用

ZX8816: 小電感脈沖線圈測試儀

主要測試原理

電感脈沖線圈測試儀是在不損壞被測件的條件下測試其電氣性能。儀器能在短暫的瞬間判別線圈的品質(zhì)。測量時將與標(biāo)準(zhǔn)線圈測試時同樣的脈沖通過電容器放電施加于被測線圈，由于線圈電感量和Q致的存在，將響應(yīng)一個對應(yīng)與該放電脈沖的電壓衰減波形。比較該衰減波形的某些特征，可以檢測線圈匝間和層間短路及圈數(shù)和磁性材料的差異，通過施加一個高壓脈沖，根據(jù)波形出現(xiàn)的顫動量和二次微分來判斷被測電感是否存在絕緣不良。

Vo: 儀器內(nèi)部電壓

Ri:  儀器內(nèi)部電阻

Ci：儀器內(nèi)部電容

Cc: 儀器內(nèi)部諧振電容

Cw: 繞線元件的雜散/寄生電容

R:  繞線元件的等效并聯(lián)電阻

Rp檢測

脈沖測試時，將開關(guān)SW閉合，電容器放電施加電壓于被測線圈。脈沖測試結(jié)束后，將開關(guān)SW開路，此時儀器檢測自體諧振波形。儀器通過比較自體諧振波形中***個正向波峰的峰值與第二個正向波峰的峰值的衰減速度及比例差異來檢測出異常產(chǎn)品。波峰比的值越大表示Rp的值也越大，相對的Q值也會比較高。

波形判定模式

1. 波形面積比較(Area Size)

在任意指定的A~B區(qū)間內(nèi)對被測線圈測試波形面積進行積分，并與標(biāo)準(zhǔn)波形在此區(qū)間內(nèi)的面積進行比較，用這兩個波形面積的差異值與標(biāo)準(zhǔn)波形在此區(qū)間的面積的百分比作為判定依據(jù)，判定基準(zhǔn)用百分比來設(shè)定。

波形面積近似的與能量損失成正比，所以可以使用面積比較方法來判斷線圈中的能量損耗，有效的檢測線圈層間和匝間短路。

2. 波形面積差比較(Differential Area)

在任意指定A~B 區(qū)間內(nèi)對被測線圈測試波形和標(biāo)準(zhǔn)波形的Y 軸方向的差異值進行計算(積分計算的結(jié)果為A~B 區(qū)間內(nèi)的陰影部分)和標(biāo)準(zhǔn)波形在此區(qū)間的面積比較，基準(zhǔn)用百分比來設(shè)定。

3. 波形顫動檢測(Flutter Detection)

在任意指定A~B 區(qū)間內(nèi)對波形進行一階微分，計算出波形的總放電量，再與標(biāo)準(zhǔn)波形的總放電量進行比較

4. 波形放電量二次微分檢測(Laplacian Value)

在任意指定A~B 區(qū)間內(nèi)對波形進行二階微分，與標(biāo)準(zhǔn)波形對應(yīng)區(qū)間內(nèi)的二次微分進行比較，可以檢測出因電氣放電或電極焊接不良引起波形快速變化的現(xiàn)象。

5. 波峰比檢測(Peak Ratio)

在崩潰電壓分析(BDV)模式下，用待測物自體諧振波形的第二個正向波峰的峰值與***個正向波峰的峰值計算波峰比。利用波峰比可評價被測件是否過度劣化。

6. 波峰降比檢測(△Peak Ratio)

在脈沖測試(IWT)模式下，將被測物自體諧振波形的第二個正向波峰的峰值與***個正向波峰的峰值計算波峰比，并將該波峰比與標(biāo)準(zhǔn)品的波峰比進行比較。如果被測件與樣品的波峰比相同，則△Peak Ratio將會等于0%。△Peak Ratio為被測件與標(biāo)準(zhǔn)品的波峰比差所占樣品的波峰下降比的比例。公式如下：

波峰差異比是并聯(lián)電阻所造成能量衰減的差異，所以可以利用波峰差異比來判定并聯(lián)電阻Rp是否異常。 

7. 共振面積比較(△Resonant Area)

在脈沖測試(IWT)模式下，開關(guān)SW1斷開后，被測件所產(chǎn)生的自體諧振波形與標(biāo)準(zhǔn)樣品的自體諧振波形總面積進行比較。如果待測物的線圈絕緣與標(biāo)準(zhǔn)品接近，則共振面積應(yīng)該與標(biāo)準(zhǔn)品面積接近；如果待測物的線圈絕緣不良，則共振波形會快速衰減，共振面積也會相對較小。

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